در این مقاله خواص الکترونیکی و پارامترهای ترموالکتریکی نانوساختار دوبعدی C18N6 با رویکرد نظریه تابعی چگالی ارایه شده است. نتایج حاکی از آن است که ترکیب C18N6 یک گاف نواری مستقیم در مرکز منطقه بریلوین به اندازه eV 2/2 دارد. ضریب سیبک این ماده µ, V/K 2888 است و با افزایش دما کاهش می یابد. رسانندگی الکتریکی، رسانندگی گرمایی الکتریکی و ضریب توان در مقادیر مثبت پتانسیل شیمیایی بیشینه هستند. همچنین در بازه دمایی 500 تا 700 کلوین این ماده خواص ترموالکتریکی مناسبی دارد.